硅片彎曲度是指硅片中線(xiàn)面的中心點(diǎn)處凸和凹的變形量。主要的測量方法有接觸式和非接觸式兩種。彎曲度是硅片好主要的質(zhì)量指標,硅片厚度公差和總厚度變化(平行度)以及光潔度的變化,主要是由彎曲度的變化引起的,盡管切片機本身的精度也會(huì )對這些指標產(chǎn)生影響,但它決不會(huì )使硅片厚度和總厚度變化達幾十微米甚至幾百微米的波動(dòng)。

將硅片置于基準環(huán)的3個(gè)支點(diǎn)上，3支點(diǎn)形成一個(gè)基準面，用低壓力位移指示器測量硅片中心偏離基準平面的距離，翻轉硅片，重復測量。兩次測量值之差的一半就表示硅片的彎曲度。